第四代半导体材料氧化镓具有耐压、电流、功率、损耗等优势，已被行业认可并开启产业化，国际领先企业均已展开相关布局。我国科技部将氧化镓列入“十四五”重点研发计划，让第四代半导体获得更广泛关注。未来5-10年，氧化镓器件有望在更高电压、更高频率和更高功率的应用中取得突破。这些应用将推动电力电子技术的革新，为可再生能源、电动汽车和智能电网等领域带来新的发展机遇。

氧化镓产业化需要材料、器件、模组、应用等多个环节形成完整循环。目前，第三代半导体材料已发展出完整的产业链，且向着成本不断降低的方向发展。株洲科能作为第三代半导体材料的关键企业，积累了领先的成套设备工艺、自主的高纯度标准和检测服务等体系化的科创核心能力，公司相继研发并量产的高纯镓/铟、超高纯铟/镓、高纯氧化镓，系统性的解决了第三代和第四代化合物半导体衬底及外延材料的国产化问题，并不断构建具有自主知识产权的超高纯化合物半导体材料体系。

据了解，株洲科能是国内少数能够生产高纯氧化镓的科创型企业，产品已覆盖供应国内第四代国内化合物半导体企业和研究机构， 如杭州镓仁、杭州富加、苏州镓和、无锡同磊、浙江大学、山东大学、同济大学等。高纯氧化镓作为第四代化合物半导体关键材料，有望在未来几年内成为半导体领域的重要组成部分。公司将进一步加大研发投入，积极推进下游市场验证，高纯氧化镓产品有望脱颖而出，为我国化合物半导体产业的自主可控发展贡献重要力量。

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